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| 如何运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层 | |
| 引用本文： | 杨彦伟.如何运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层[J].深圳特区科技,2005(11):60-64. |
| 作者姓名： | 杨彦伟 |
| 摘 要： | 本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析，并通过具体的工艺试验，最终得出了运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件。 |
| 关 键 词： | 等离子增强化学气相淀积（PECVD） SiO2膜层 湿氧退火 淀积速率 |
How to Use Beijing Jianzhong L42812-1/ZM PECVD to Deposit Compact SiO2 Film which the Deposition Rate is below 100A/min |
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| Authors: | Yanwei Yang |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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