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杂志ISSN号
H
2
+
杂质半导体量子点激发态能级的计算
作者姓名:
惠萍
作者单位:
广东第二师范学院物理系
基金项目:
国家自然科学基金资助项目(10574163);国家自然科学基金资助项目(8151030301000004)
摘 要:
用B样条技术计算H2+杂质半导体量子点激发态能级.计算结果显示:当两核距离D较小时,激发态能级E对两核距离D的变化很敏感;当两核距离D较大时,E——D曲线上升变缓,激发态能级对D的变化敏感度下降.基态1sσg和激发态2pσu2pπu3dσg3dπg所有E——R曲线随R的增大快速下降,量子尺寸效应显著.通常情况下,D越大,E——R曲线越高.但2pσu的E——R曲线很奇怪,曲线之间出现交叉现象.
关 键 词:
H2+杂质半导体量子点
Born-Oppenheimer近似
B-spline技术
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