| Pr替位式掺杂GaAs光电性能的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 李,聪,孙霄霄,于,淼,付斯年.Pr替位式掺杂GaAs光电性能的第一性原理研究[J].牡丹江教育学院学报,2014(4):96-97. |
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| 作者姓名： | 李 聪 孙霄霄 于 淼 付斯年 |
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| 作者单位： | 牡丹江师范学院,黑龙江牡丹江,157012 |
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| 基金项目： | 牡丹江师范学院科学技术研究项目（QY201315）；牡丹江师范学院科学技术研究项目（QY201213）。 |
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| 摘 要： | 采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立GaAs及Pr-GaAs模型并对其能带结构与吸收光谱进行计算。结果表明稀土Pr的4f态电子使得GaAs的能带结构发生改变,价带电子跃迁至导带所需的激发能减小,吸收光谱发生红移,从而提高了GaAs作为光电材料时对太阳光的利用率。
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| 关 键 词： | Pr掺杂GaAs 第一性原理 光电性能 能带结构 |
First-principles Study on the Photoelectric Property of Pr doped GaAs |
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| LI Cong,SUN Xiao-xiao,YU Miao,FU Si-nian.First-principles Study on the Photoelectric Property of Pr doped GaAs[J].Journal of Mudanjiang College of Education,2014(4):96-97. |
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| Authors: | LI Cong SUN Xiao-xiao YU Miao FU Si-nian |
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| Institution: | (Department of Physics, Mudanjiang Normal University, Heilongjiang 157012) |
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| Abstract: | Based on First -principles within density -functional theory ,we establish models of pure GaAs and Pr doped GaAs .Then we calculate the band structures and absorption spectra .The results show that Pr changes the band structure of GaAs ,w hich makes the excitation energy of valence band e-lectron less and absorption spectra red shift ,and photoelectric property of GaAs is better . |
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| Keywords: | Pr掺杂GaAs Pr doped GaAs First -principles photoelectric property band structure |
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