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| 一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法 | |
| 作者单位： | ;1.上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室;2.华东师范大学信息科学技术学院 |
| 摘 要： | AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1~40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。 |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 大信号 模型 片上(在片)测试 |
A Large-signal Modeling Method for AlGaN/GaN HEMT Using On-wafer Measurement |
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