| MOS管短沟道效应及其行为建模 |
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| 引用本文： | 冼立勤,高献伟.MOS管短沟道效应及其行为建模[J].实验室研究与探索,2007,26(10):14-16. |
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| 作者姓名： | 冼立勤 高献伟 |
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| 作者单位： | 北京电子科技学院,电子技术实验室,北京,100070 |
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| 基金项目： | 北京市高等教育教学改革工程项目 |
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| 摘 要： | 随着集成电路工艺的不断革新,集成电路器件的尺寸不断减小,当MOS管的尺寸小到一定程度时,会出现短沟道效应,此时MOS管特性与通常相比有很大不同。本文介绍了描述短沟道MOS管特性的一些公式,然后利用硬件描述语言VHDL-AMS对短沟道MOS管进行了行为建模,并利用混合信号仿真器SMASH5.5对模型进行了仿真,将短沟道MOS管模型特性与一般模型特性作了比较。
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| 关 键 词： | 短沟道效应 MOS管 行为建模 |
| 文章编号： | 1006-7167（2007）10-0014-03 |
| 收稿时间： | 2006-12-13 |
| 修稿时间： | 2006年12月13 |
MOSFET Short-channel Effect and Its Behavioral Modeling |
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| XIAN Li-qin,GAO Xian-wei.MOSFET Short-channel Effect and Its Behavioral Modeling[J].Laboratory Research and Exploration,2007,26(10):14-16. |
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| Authors: | XIAN Li-qin GAO Xian-wei |
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| Institution: | Electronics Technology Lab. , Beijing Electronic Science and Technology Inst. , Beijing 100070, China |
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| Abstract: | Short-channel effects appear when dimensions of MOSFET are less to a certain extent,and then the characteristic of the MOSFET is different from the generic model.This paper presented the formulation including short-channel MOSFET,then created its behavioral model using VHDL-AMS and simulated by the mixed signal simulator SMASH5.5.The results of simulation are compared with generic model. |
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| Keywords: | VHDL-AMS |
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