基于Fluent的化学机械抛光的流场数值模拟 |
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引用本文: | 黄传锦,周海.基于Fluent的化学机械抛光的流场数值模拟[J].内江科技,2013,34(4). |
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作者姓名: | 黄传锦 周海 |
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作者单位: | 盐城工学院 224051江苏盐城 |
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基金项目: | 江苏省自然科学基金项目,江苏省高校科研成果产业化推进项目 |
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摘 要: | 建立化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)的润滑流场三维模型,使用商用CFD软件Fluent对其流场进行数值模拟,可以看出CMP润滑流场的速度分布对晶片表面抛光有重要影响。通过对照数值模拟结果和理论值,表明使用Fluent仿真CMP的流场是合理可行的,为优化机械抛光的材料去除率和表面平整度提供理论支持。
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关 键 词: | 机械抛光 CMP Fluent 数值模拟 |
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