|
|||||
|
|
| 射频反应磁控溅射生长ZAO薄膜的光电性质 | |
| 作者单位： | ;1.华东理工大学理学院 |
| 摘 要： | 采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质。结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O_2中O_2含量增加而减小。薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和E_g随Ar∶O_2中O_2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移。 |
| 关 键 词： | ZAO薄膜 磁控溅射 基底温度 光电性质 |
Preparation and Optical Electrical Properties of ZAO Thin Film by Reaction RF Magnetron Sputtering |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |