| TiN薄膜常压化学气相沉积及动力学研究 |
| |
| 引用本文： | 杨小毛.TiN薄膜常压化学气相沉积及动力学研究[J].韩山师范学院学报,2000,21(2):57-62. |
| |
| 作者姓名： | 杨小毛 |
| |
| 作者单位： | 韩山师范学院化生系 广东潮州 |
| |
| 摘 要： | 在玻璃基片温度400℃和650℃之间，讨论了TiCl4-NH3-N2体系TiN常压化学气相沉积（APCVD）及动力学。在500－650℃温度范围内。TiN在高温玻璃表面沉积为反应物扩散控制，低于400℃为表面反应控制，其沉积速度明显受玻璃温度，反应物浓度和气体流速影响。
|
| 关 键 词： | TiN薄膜 氮化钛 化学气相沉积 氨 四氯化钛 动力学 镀膜玻璃 |
A Study on Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of TiN Film and Its Kinetics |
| |
| Yang Xiaomao.A Study on Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition of TiN Film and Its Kinetics[J].Journal of Hanshan Teachers College,2000,21(2):57-62. |
| |
| Authors: | Yang Xiaomao |
| |
| Institution: | Yang Xiaomao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | titanium nitride chemical vapor deposition ammonia titanium te- trachloride glass kinetics |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
