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| 衬底温度对SiCN膜生长的影响 | |
| 作者姓名： | 马紫微 |
| 作者单位： | 运城学院,物理与电子工程系,山西,运城,044000 |
| 摘 要： | 分别在不同的衬底温度下制备了SiCN薄膜，首先用红外吸收谱（IR）研究了薄膜中各元素间的成键情况，然后用X射线衍射谱（XRD）分别研究了高温样品和低温样品的结构，得到了它们的结晶状况。利用这些研究得到了衬底温度对薄膜生长的影响。 |
| 关 键 词： | SiCN膜 衬底温度 红外吸收谱 XRD |
| 文章编号： | 1008-8008（2005）05-0040-02 |
| 收稿时间： | 2005-09-28 |
| 修稿时间： | 2005-09-28 |
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