首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究
引用本文:梁秀红,鞠玉林,等.GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究[J].河北工业大学成人教育学院学报,2000,15(1):32-33,45.
作者姓名:梁秀红  鞠玉林  
作者单位:河北工业大学!天津300130
摘    要:GaAs衬底与外延层质量,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能,而超声AB的腐蚀法是一种能准确快速的显示GaAs体缺陷与器件外延层缺陷的检测法,本文提供了超声AB的腐蚀法显示GaAs体缺陷与外延层缺陷的实例照片与工艺条件。并对其进行了分类,充分显示了它良好的可靠性。

关 键 词:外延层缺陷  检测方法  超声AB腐蚀法  砷化镓晶体  半导体材料  晶体缺陷
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号