GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究 |
| |
引用本文: | 梁秀红,鞠玉林,等.GaAs晶体缺陷与外延层缺陷显示研究[J].河北工业大学成人教育学院学报,2000,15(1):32-33,45. |
| |
作者姓名: | 梁秀红 鞠玉林 等 |
| |
作者单位: | 河北工业大学!天津300130 |
| |
摘 要: | GaAs衬底与外延层质量,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能,而超声AB的腐蚀法是一种能准确快速的显示GaAs体缺陷与器件外延层缺陷的检测法,本文提供了超声AB的腐蚀法显示GaAs体缺陷与外延层缺陷的实例照片与工艺条件。并对其进行了分类,充分显示了它良好的可靠性。
|
关 键 词: | 外延层缺陷 检测方法 超声AB腐蚀法 砷化镓晶体 半导体材料 晶体缺陷 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|