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| 0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3铁电薄膜漏电流机制 | |
| 作者单位： | ;1.绵阳师范学院物理与电子工程学院;2.四川大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制,研究表明,薄膜漏电流在低场强下(<32kV/cm)符合欧姆(热电子发射)导电机制并受到晶界限制行为的影响,在中场强下(3285kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(8585kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(85100kV/cm)富勒-诺丁海姆(FN)隧穿机制起主导作用. |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 漏电流 机制 |
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