多孔GaN纳米晶须的气固机制合成及光致发光性质

采用纯的传统的GaN粉,用物理气相沉积的方法,在1200℃条件下,在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过x-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X-射线能量损失谱仪(EDX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形,单根晶体的直径为30-100 nm、长度达到微米级,宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定,发现这些多孔纳米晶须在296 nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质,这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。