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| L1_0-CoPt磁记录薄膜研究进展 | |
| 引用本文： | 吕宝华,李玉珍.L1_0-CoPt磁记录薄膜研究进展[J].运城学院学报,2010,28(5):52-54. |
| 作者姓名： | 吕宝华 李玉珍 |
| 作者单位： | [1]运城学院应用化学系 [2]运城学院机电公共实验中心,山西运城044000 |
| 摘 要： | L10结构的CoPt合金薄膜具有高磁晶各向异性能,能够满足超高磁记录的要求,极有可能成为下一代超高密度磁存储介质。详细介绍了CoPt薄膜近年来的研究成果,分析了降低CoPt退火温度和减弱晶粒间交换耦合作用的方法,并对其应用前景作了分析。 |
| 关 键 词： | CoPt薄膜 退火温度 交换耦合作用 |
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