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| 碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化 | |
| 摘 要： | 正推荐单位:中国科学院物理研究所完成单位:中国科学院物理研究所合作单位:北京天科合达半导体股份有限公司成果简介碳化硅(Si C)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,只有少数发达国家掌握Si C晶体生长和加工技术。Si C晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被"卡脖子"至关重要。团队自1999年以来,立足自主研发,从基础研究到应用研究,突破了生长设备到高质量SiC晶体生长和加工等关键技术, |
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