电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响

针对电化学刻蚀硅微通道过程中通道开口处壁厚值小,通道侧蚀严重的问题,基于电化学腐蚀原理,利用PARSTAT2273电化学工作站及自制的三电极电解槽刻蚀系统,通过一个对比实验,分别在30、20mA/cm2的电流密度下刻蚀了硅微通道样品。刻蚀完成后,沿(100)晶向将样品切开,并利用扫描电子显微镜观察刻蚀完成后通道壁厚情况。实验结果表明,通道壁厚不均匀的情况得到了改善,侧蚀严重的深度从70μm下降到了30μm,得到了壁厚均匀区域更长的硅微通道结构。

Influence of current density on electrochemical etching of silicon microchannel plates pore wall thickness