HgTe量子点体系中的电子输运

文章为探究HgTe量子点和传统半导体量子点的性能优劣，理论上研究HgTe量子点的电子性质，利用非平衡格林函数方法，研究了两个铁磁电极之间的HgTe量子点在小偏压下的电流输运性质，并将其与传统半导体量子点进行比较。研究发现，对于HgTe量子点体态，其电子性质与输运性质与传统半导体量子点类似；对于HgTe量子点边缘态，量子点边缘处的电子可以延伸到量子点的中心，从而在小偏压下就会产生电流，导致HgTe量子点的输运性能优于传统半导体量子点。同时，输运电导会随着量子点的半径减小、温度增高而减小。