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| 氢化非晶碳膜导电机制的探索 | |
| 引用本文： | 马春兰.氢化非晶碳膜导电机制的探索[J].铁道师院学报,2000,17(4):35-41. |
| 作者姓名： | 马春兰 |
| 作者单位： | 苏州铁道师范学院物理系,苏州 |
| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＣＶＤ）方法，以苯为气源，在不同基片温度下制备了氢化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ），对样品进行了伏安特性测试，考察了基片温度对样品电阻率与击穿场强的影响，结合薄膜含氢量，ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ散射等分析手段探索了ａ－Ｃ：Ｈ膜的导电机制。 |
| 关 键 词： | 基片温度 导电机制 氧化非晶碳膜 ECR－CVD方法 |
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