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基于浮栅型薄膜晶体管的光控多值存储器
引用本文:李博文,张国成,秦世贤,邢俊杰,李志达,赖秉琳.基于浮栅型薄膜晶体管的光控多值存储器[J].福建工程学院学报,2023(6):580-584.
作者姓名:李博文  张国成  秦世贤  邢俊杰  李志达  赖秉琳
作者单位:福建理工大学微电子技术研究中心
基金项目:福建省自然科学基金面上项目(2021J011082);
摘    要:为了解决一般存储器存储密度低、数据保持能力弱及保密性差等问题,基于浮栅型薄膜晶体管制备了一种性能受光调制的信息存储器,该存储器的存储窗口大于60 V,在特定条件下可呈现“1”“中间态”“0”3种电流水平,采用PN共混的有源层提高了器件的开关比。该存储器在提高数据储存密度、光学信息加密存储方面具有较强的发展潜力,可为新一代智能电子设备的信息存储提供助力。

关 键 词:浮栅型存储器  薄膜晶体管  光调制  PN共混
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