| 反应沉积外延制备Ba5Si3及其电子结构研究 |
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| 引用本文： | 杨子义,徐虎. 反应沉积外延制备Ba5Si3及其电子结构研究[J]. 贵阳学院学报(自然科学版), 2015, 10(1) |
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| 作者姓名： | 杨子义 徐虎 |
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| 作者单位： | 1. 贵阳学院电子与通信工程学院,贵州贵阳550005;贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025
2. 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 采用反应沉积外延法在723K的Si (111)衬底上共沉积了的Ba/Si混合膜,通过时间控制得到不同厚度的混合膜,然后真空退火处理.X射线衍射表明在真空中1073K退火12小时后出现了单一的Ba5 Si3薄膜.采用第一性原理对Ba5 Si3的能带结构进行了计算,带隙宽度为0 eV,表现为金属性质.
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| 关 键 词： | Ba5Si3薄膜 反应沉积外延 真空退火 第一性原理 电子结构 |
Study on Preparation by Reactive Deposition Epitaxy and the Electronic Structure of Ba5Si3 |
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| YANG Zi-yi,XU Hu. Study on Preparation by Reactive Deposition Epitaxy and the Electronic Structure of Ba5Si3[J]. Journal of Guiyang College:Natural Science, 2015, 10(1) |
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| Authors: | YANG Zi-yi XU Hu |
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