| 用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备非晶态氮化硅薄膜 |
| |
| 引用本文： | 李雪冬. 用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备非晶态氮化硅薄膜[J]. 绵阳师范学院学报, 2005, 24(5): 69-73 |
| |
| 作者姓名： | 李雪冬 |
| |
| 作者单位： | 绵阳师范学院物理与电子信息工程系,四川绵阳,621000 |
| |
| 摘 要： | 探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积（ECRCVD）设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜。通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷（SiH4）、氮气（N2）、氢气（Ar）流量、样品台温度等，控制和优化氮化硅（SiN2）折射率争生长速率。得到了各工艺条件对氮化硅（SiN2）折射率争生长速率影响曲线；通过测量用本方法制备的高反膜系的反射率。证实了镀光学膜时理论值与实际值符合的很好。
|
| 关 键 词： | 电子回旋共振化学气相沉积 氮化硅 生长速率 |
| 文章编号： | 1672-612x(2005)05-0069-05 |
| 收稿时间： | 2005-03-08 |
| 修稿时间： | 2005-03-08 |
Preparation of Amorphous Silicon Nitride Film by ECRCVD |
| |
| LI Xue-dong. Preparation of Amorphous Silicon Nitride Film by ECRCVD[J]. Journal of Mianyang Normal University, 2005, 24(5): 69-73 |
| |
| Authors: | LI Xue-dong |
| |
| Abstract: | This article is about how to use Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition(ECRCVD) method to prepare amorphous silicon nitride(SiN_x)film.By changing microwave power,SiH_4flow,Ar flow,N_2flow or the temperature of the substrate in the process we can control and optimize the refraction index and growth ratio of SiN_(x).In each case we get related graphics of the process parameter with refraction index and growth ratio.The reflection ratio of measurement shows a better fit to the theory. |
| |
| Keywords: | ECBCVD SiNx Refraction index |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
