| 反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质 |
| |
| 引用本文： | 谭启龙.反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质[J].湖南科技学院学报,2004,25(6):94-97. |
| |
| 作者姓名： | 谭启龙 |
| |
| 作者单位： | 湖南科技学院,电子工程与物理系,湖南,永州,425006 |
| |
| 摘 要： | 研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小.
|
| 关 键 词： | 反对称磁垒纳米结构 二维电子气 隧穿输运 |
| 文章编号： | 1671-9697(2004)06-0094-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月20 |
Transport of electrons in dissymmetric double-barrier magnetic nanostructures |
| |
| TAN Qilong.Transport of electrons in dissymmetric double-barrier magnetic nanostructures[J].Journal of Hunan University of Science and Engineering,2004,25(6):94-97. |
| |
| Authors: | TAN Qilong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
