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| 非晶态半导体载流子的漂移迁移率 | |
| 作者姓名： | 齐吉泰 于长兴 印志强 王春红 |
| 作者单位： | 绥化学院物理系,黑龙江绥化,152061 |
| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金项目,项目编号：A04-12. |
| 摘 要： | 在分析非晶态半导体的电导时应考虑以下两个特点：第一,晶态半导体的导电主要靠导带中的电子或价带中的空穴;而在非晶态半导体中存在着扩展态、尾部定域态、禁带中的缺陷定域态等,这些状态中的电子或空穴都可能对电导有贡献,因此需要同时进行分析;第二,晶态半导体中的费米能级通常是随着温度变化而变化的,而非晶态半导体中的费米能级通常是“钉札”在禁带之中,基本不随温度变化而变化.下面,我们通过理论分析和实验测量来研究非晶态半导体定域态的载流子的漂移迁移率. |
| 关 键 词： | 迁移 漂移 体载 温度变化 半导体 实验测量 电子 能级 |
| 收稿时间： | 2005-06-03 |
| 修稿时间： | 2005-06-03 |
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