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| 集成霍尔传感器灵敏度与1/f噪声的相关性研究 | |
| 摘 要： | 本文根据器件中热磁涨落和载流子缺陷辅助隧穿势垒的1/f噪声产生机理,推导了集成霍尔传感器的1/f噪声、缺陷和灵敏度的相关性模型。实验结果表明:当外加磁场是恒定的,集成霍尔传感器的电1/f噪声幅度和灵敏度都取决于传感器中缺陷数量,传感器中缺陷越少,该器件的噪声越小、灵敏度越高;当电场强度不变时,传感器磁1/f噪声与灵敏度都取决于传感器中的磁畴翻转,磁畴翻转越多,磁1/f噪声幅值越大,传感器灵敏度越小。实验结果与理论吻合良好。该结果为集成霍尔传感器中1/f噪声对灵敏度的影响提供了一种有效的评估方法。 |
Correlation Study of Sensitivity and 1/f Noise of Integrated Hall Sensor |
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