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| MBE系统中砷蒸气压的校准 | |
| 引用本文： | 王云,潘金福,黄旭,丁召.MBE系统中砷蒸气压的校准[J].中国科技信息,2008(23). |
| 作者姓名： | 王云 潘金福 黄旭 丁召 |
| 作者单位： | 贵州大学电子科学与信息技术学院 |
| 摘 要： | 本文根据本实验室在调试分子束外延(MBE)系统过程中,总结MBE系统中对含As的Ⅲ-Ⅴ化合物材料进行外延生长前对砷蒸气压进行校准,经过多次设定坩埚温度和坩埚阀门位置来控制砷的束流,用束流监控器测量压强,从而为得到最佳外延生长创造前提条件. |
| 关 键 词： | 分子数外延(MBE) 砷压校准 束流等效压强(BEP) |
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