| n-ZnO基异质结发光二极管研究进展 |
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| 引用本文： | 沈耀国.n-ZnO基异质结发光二极管研究进展[J].洛阳师范学院学报,2015(2):52-55. |
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| 作者姓名： | 沈耀国 |
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| 作者单位： | 闽江学院物理学与电子信息工程系 |
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| 摘 要： | p型掺杂Zn O比较困难,使得大家寻求其它p型半导体与n型Zn O构成异质结,以扩大其在电子器件领域的应用.本文主要综述了各种n-Zn O基异质结发光二极管的结构、电特性以及发光特性.常用的p导电物质有Ga N、Si、Mg O、Ni O、聚苯烯(PANI)、Cu SCN等,除了简单的p-Ga N/n-Zn O结构外,通常在该结构中加入低导电率的中间层来调节p-Ga N/n-Zn O界面的能量.另外,Zn O纳米结构的不同形状对器件的性能影响很大,采用不同的合成条件,或者加以退火技术,可以得到性能良好的发光二极管(LEDs).
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| 关 键 词： | 异质结 发光二极管 综述 |
The Research Progress of n-ZnO Based Heterojunction LED |
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| SHEN Yao-guo.The Research Progress of n-ZnO Based Heterojunction LED[J].Journal of Luoyang Teachers College,2015(2):52-55. |
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| Authors: | SHEN Yao-guo |
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| Institution: | SHEN Yao-guo;Department of Physics and Electronic Information Engineering,Minjiang University; |
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