172W核三轴超形变的探究

运用二维总位能面计算方法计算了偶偶核172W的总位能面,计算结果表明偶偶核172W有明显的三轴超形变,形变参数为ε2=0.38和γ=35°.分析计算过程发现对于偶偶核172W的三轴超形变形成机理中,中子壳修正能量起到了关键作用,高j闯入轨道也起到了重要作用,转动能同样起到了一定的作用.     

Se核的E─GOS形状相变曲线

采用E-GOS方法对70-80Se偶偶核形状相变进行了研究,计算实验数据并做出了六个核的E─GOS曲线.     

96～104^ 44Ru偶偶核形状相变研究

本文采用E—GOS方法对偶偶核96～104^ 44Ru形状相变进行了研究．研究表明，这些核素都是U（5）-Su（3）的过渡核，且都趋于U（5）极限。单粒子激发对区域偶偶核形状相变有重要影响．     

96～104^ 44Ru偶偶核形状相变研究

本文采用E—GOS方法对偶偶核96～104^ 44Ru形状相变进行了研究．研究表明,这些核素都是U（5）-Su（3）的过渡核,且都趋于U（5）极限。单粒子激发对区域偶偶核形状相变有重要影响．     

Kr核的E─GOS形状相变曲线

采用E-GOS方法对72-84Kr偶偶核形状相变进行了研究,得出实验数据并计算出结果和做出了七个核的E-GOS曲线.     

轻偶偶核电荷分布的一个统一描述

应用唯象模型结合原子核的电子散射实验结果，研究了轻偶偶核的电荷分布，给出了一个能很好地统一描述轻偶偶核的电荷分布的解析模型。该模型可以很好地给出原子核^4He，^12C，^16O，^24Mg，^28Si和^32S的电荷密度分布，电荷密度分布的均方根半径及电荷形状因子。     

原子核的微观相互作用玻色子模型

本文系统地讨论了微观相互作用玻色子模型方案,分析了它和壳模型的关系,并以近满壳偶偶核为例推导了哈密顿量的玻色子形式及其在U(5)基下的矩阵元公式。说明了应用微观相互作用玻色子模型研究核结构问题的方法。     

CRAZED与COSY实验中的偶极场效应

文章简单描述了高极化核自旋体系中分子间多量子相干(iMQC)有关的实验现象,详细讨论了在不同温度和不同梯度场强度下CRAZED和COSY(gCOSY)实验中的偶极场效应,实验结果表明梯度场、偶极场、分子自扩散等各种因素都会影响iMQC信号。     

线性11核素列的分布特点

原子核的存在是质子中子的对立统一，而传统理论以质子中子单独填充是有重要缺陷的．在正方形核素图中，对于稳定核素的线性列，11核素的存在与常数36，38，40对应的1／2，1，2联系的差K18，S38，3S-H=80．以坐标(18，0)(38，40)(38，20)为顶点的三角形似形成1，2，3列11核素的线性列联系．在这三角形内存在着一系列三角形，7个三角形共有3(10 7 4 1)偶偶核素，共66种偶偶核素与55种奇A核素．     

Ru偶—偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考察同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ru偶－偶同位素^98Ru-^106Ru的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的准γ带能谱的Staggering现象，较精确地描述了实验观察到的低激发态性质。     

Pd偶-偶同位素核低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Pd偶－偶同位素^100Pd-^116Pd的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的准γ带能谱的Staggering现象，较精确地描述了实验观察到的外低激发态性质。     

IBM模型对偶偶核_(48)~(98)Zr的研究

本文使用IBM(相互作用玻色子)模型对偶偶核_(48)~(98)Zr进行了研究.拟合了_(48)~(98)Zr核的低能谱的谱带,计算了_(48)~(98)Zr核的低能谱的电磁跃迁,分析了部分态的波函数和哈密顿量.计算结果表明理论计算与实验值符合较好.数据分析表明_(48)~(98)Zr是具有U(5)振动极限到SU(3)转动极限之间的过渡核.     

Ar同位素中的2s1/2和1d3/2能级反转与泡核的形成

用相对论平均场理论计算了Ar同位素链丰中子偶偶核的单质子能级、质子填充概率和电荷密度分布。结果显示:当中子数N<18时,质子的2s1/2态能级低于1d3/2态能级;而当中子数N≥18时,质子的2s1/2态能级高于1d3/2态能级。这意味着在Ar同位素中可能存在质子2s1/2和1d3/2态能级反转。对电荷分布的计算进一步发现,质子2s1/2和1d3/2态能级反转会导致在Ar同位素中可能有质子半泡核的存在。     

浅谈离子极化理论及其应用

离子在外电场的作用下,核和核外电子发生相对位移的过程,叫做离子极化。极化的结果,使原来没有偶极的“离子”产生了偶极,原来有偶极的偶极加大。一种离子既能充当电场,使相反电荷的离子发生极化,亦受其他离子电场的作用而被极化。离子充当电场作用的大小叫离子的极化能力,受电子作用而发生极化叫变形性。显然离子的极化是相互的,但是,对于阳离子来说极化能力是主要的,变形性是次要的;对阴离子来说变形性则是主要的,极化能力是次要的。下面,就离子的极化能力,变形性及     

稳定区核素边界线的整数联系

在正方形核素图中，说明了稳定区的下界及Z20～8的偶偶核素与偶坐标S18～6连续核素的三种1．2，4分布特点．在以Z43～50与差K15～20的四边形区中，以坐标SH、差K、X(=K-H)四量之二作新坐标联系，建立了稳定区边界核紊的整数联系，这些具体作新坐标的整数联系为：以(K，X)，(32，16)至(16，0)类联系稳定区下界坐标H=0核素；以(2H，2K)，坐标(30，15)至(30，30)类联系着S=H列与偶Z60～82上界；以(2H，2X)，(33，15)至(30，6)类联系偶Z40～24下界的折线；以(2K，2X)，(32，14)至(36，8)类联系偶．Z42～50下界折线．核素(107 47 34)Ag13^60以(2K，2H)至(42，26)类，联系偶．Z8O～52下界折线，以(2H，2X)至(26,16)，联系Z40，42，44三上界．以(K，H)(32，12)至(20,12)类．联系Z36-24的上界，在这些变换中的新坐标系都是斜坐标系，故能发现直角系难以出现的规律性．     

几乎差集偶与几乎最佳自相关二元序列偶的研究

本文首先提出了一类新的区组设计一几乎差集偶的概念,研究了几乎差集偶的性质,给出了几乎最佳自相关二元序列偶存在的一些必要条件,并证明了几乎差集偶与几乎最佳自相关二元序列偶的等价关系,为应用几乎差集偶这种拳的区组设计方法研究几乎最佳自相关二元序列偶提供了新的理论依据。     

屏蔽二进序列偶的构造

对屏蔽二进序列偶进行研究,证明了一类特殊的差集偶与最佳屏蔽二进序列偶是等价的,以及另一类特殊的差集偶与伪随机屏蔽二进序列偶是等价的;证明了几乎最佳屏蔽二进序列偶与一类特殊的可分差集偶之间的等价关系,为应用差集偶和可分差集偶构造屏蔽二进序列偶提供了理论依据。利用分圆类方法构造与最佳屏蔽二进序列偶等价的差集偶,得到几类最佳屏蔽二进序列偶。     

报到啦

偶来啦,偶来啦,偶来‘小开'报到啦!开心呀,兴奋呀,偶……额滴娘啊,奔得太快,一不小心脚扭了!太衰了,5555……别误会啊,偶可不是什么冒失鬼,真滴不是!     

偶与偶妈

偶在偶妈的魔爪下生活了十余年,两人最长的分别时间不超过半个月,偶与偶妈可谓是难舍难分啊!偶妈早已是奔四的人了,完全符合一个母亲的形象。除了     

偶和偶妈——我的网络博客日记

◇面膜悲剧◇自从偶妈买回那面膜后,悲剧就开始了……有一天,偶放学回家,正脱鞋的时候,只听见有个阴森森的声音响起:“你回来啦……”偶抬头一看,啊啊啊!一个穿着睡衣,脸上白得吓人的女鬼啊!救命啊——偶立刻决定化恐惧为力量,勇敢地低着头(汗),准备和女鬼决一死战。这时,女鬼又说话了:“怎么回来这么晚?”偶这才发现,原来这个女鬼就是偶老妈……还有一次,偶正在床上看书,偶妈忽然推门进来,兴冲冲地说:“看我!”偶一抬头:“啊啊啊!女鬼重现啊——”偶妈很满足地看偶尖叫完毕,关上门偷笑去了。偶妈做面膜时,偶总是处于神经紧张状态。刚刚,偶…