纳米二氧化锡薄膜的AFM研究

以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件,采用X射线衍射仪（XRD）及原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了结构形貌表征。结果表明,当烧结温度为450℃时,纳米SnO2薄膜为金红石型结构,表面形貌最佳,平均颗粒约为39-45nm。     

Cu纳米颗粒薄膜的飞秒激光溅射实验研究

实验利用飞秒脉冲激光沉积Cu纳米颗粒薄膜,获得不同激光能量时溅射Cu粒子空间分布结果,并结合Matlab、Excel和Origin等软件对这些数据进行处理分析。实验结果表明：Cu纳米颗粒的空间分布遵循Anisimov气体膨胀模型,大部分的粒子主要集中在基片与溅射源中心线附近在小立体角度（θ〈30°）范围扩散。最后,实验选取合适立体溅射角度（θ≈30°）,能量密度约为0．72J／cm2时,在不同曝光时间条件下溅射Cu纳米颗粒薄膜,并采用原子力显微镜（AFM）表征了膜厚变化情形,综合分析了纳米颗粒薄膜空间沉积成膜的过程和规律,为后继数值模拟分析提供了实验验证依据。     

不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

溶胶-凝胶法制备SrNb0.05Ti0.95O3薄膜及性能分析

以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。     

壳聚糖／纳米淀粉复合材料结构和性能研究

流延法制备了甘油增塑的壳聚糖／纳米淀粉复合材料。采用傅里叶红外（FT—IR）、X-衍射（XRD）、热重分析（TGA）、扫描电镜（SEM）和力学性能测试研究了纳米淀粉对复合材料的结构和性能的影响。结果表明,当纳米淀粉含量小于3wt%时,随着纳米淀粉在复合材料中的含量增加,复合膜的热稳定性增加、拉伸强度由52．59MPa增加到61．13MPa。     

掺杂镧铒对纳米二氧化钛薄膜光催化性能的影响

钛酸四丁酯作为前驱体,溶胶凝胶法经煅烧在玻璃载体上制备了稀土离子（La^3＋、Er^3＋）掺杂的纳米TiO2薄膜光催化剂．以罗丹明B作为有机污染物,可见吸光光度法测定太阳光降解作用的结果表明,未掺杂稀土离子的TiO2薄膜光催化效果差,掺杂稀土离子的纳米TiO2薄膜具有亲水性和更好的光催化活性．稀土离子掺杂光催化效果La^3＋〉Er^3＋,当摩尔比Ti^4＋：La^3＋为0．003时光催化效果最好,对罗丹明B的降解率为87.6％．     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高．     

PdB非晶态合金燃料电池阴极氧还原催化剂的制备及性能研究

采用液相还原法设计制备了非晶态PdB纳米颗粒催化剂．该催化剂用KBH4作为还原剂和硼的来源，通过控制温度制备具有非晶态结构的尺寸不同的PdB纳米催化剂．X射线粉末衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）测试表明0和25℃时制备的催化剂呈现非晶态结构，50℃时为晶态结构，随着温度的升高，PdB的结构由非晶态转变为晶态．采用循环伏安法（CV）和线性扫描伏安法（LSV）等方法，探究了非晶态PdB合金纳米颗粒催化剂在碱性溶液中对氧还原反应的电催化活性和稳定性．实验结果表明，温度为0℃时制备的非晶态PdB合金纳米颗粒催化剂具有最高的电催化活性及稳定性．     

射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜的拉曼光谱分析

采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜，并应用显微拉曼光谱和电子显微镜对薄膜进行微区光分析．通过拉曼光谱研究，一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构，另一方面对薄膜的生长方式提供了线索．薄膜聚集点和平常点上有统一的相结构，电子显微镜观察结果显示薄膜致密均匀．     

退火温度对ZnO：Tb复合薄膜的结构和形貌的影响

采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒．     

激光快速烧结合成钨酸铪的研究

利用CO2激光快速烧结技术合成了负热膨胀材料钨酸铪,并用拉曼光谱、X射线衍射和SEM对其进行了物相和形貌观察.结果表明,合成的钨酸铪主要为立方相含有极少量的正交相,样品表面和内部的晶粒沿激光扫描的方向取向生长,形貌为柱状晶,均匀致密,尺寸在10~50 nm.     

复合溶剂热法可控合成ZnO半导体纳米材料

以无水甲醇-水为复合溶剂,以Zn（NO3）2.6H2O和NaOH为原料,采用复合溶剂热法制备出具有特殊形貌的ZnO半导体纳米材料（四脚针状、棒状和片状）,利用X-射线粉末衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对产物的晶体结构和形貌进行表征.结果表明,通过简单地改变反应物比例和溶剂,可成功地实现ZnO纳米材料晶型和形貌的控制合成.研究了反应物比例和溶剂对ZnO形貌的影响,并对不同形貌ZnO纳米材料的形成机理进行了探讨.     

溶剂调控谷氨酸衍生物自组装纳米结构的研究

通过调节溶剂中水的比例来调控N,N'-二谷氨酸-3,4,9,10-苝四甲酸二酰亚胺(GP)的自组装行为.通过扫描电子显微镜(SEM)、红外和紫外等手段对组装结构进行了表征.结果表明溶剂对N,N'-二谷氨酸-3,4,9,10-苝四甲酸二酰亚胺(GP)自组装过程影响较为显著,导致形成不同组装纳米结构.这归因于水溶剂参与了分子间的组装过程,从而调节了分子间的相互作用力.     

w—BN（001）B面上铁（钴、镍）纳米线的高自旋极化研究

文章用密度泛涵理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）研究了铁、钴和镍在纤锌矿结构氮化硼（w—BN）（001）B面上排列的纳米线的电子结构和磁性，计算了原子的磁矩和态密度，发现在w—BN（001）的B1址的铁和钴纳米线具有高自旋极化的特性，并与孤立的铁、钴和镍原子线的电子结构进行了比较研究，这种高自旋极化材料在微电子器件中可以用作自旋过滤器．     

Au与ZnO极性表面相互作用的第一原理计算

采用第一原理研究了Au在ZnO两个极性表面（0001）-Zn和（0001）-O的吸附,分析了单层Au吸附在ZnO极性表面上的态密度和吸附构型.计算结果表明：ZnO极性表面上单层Au吸附层能提高Zn原子在（0001）-Zn和（0001）-O面上的吸附能分别0.41 eV/原子和0.42 eV/原子;同时Au吸附层又比Zn吸附层更加活跃,总能计算可以看出Au处于顶端的构型比Au扩散构型更加稳定,使得Au恒处于顶端,很好的解释了Au在ZnO纳米结构生长过程中充当表面活性剂的角色.理论计算与实验中发现Au颗粒总是在生长出的纳米结构的末端这一现象吻合很好.     

卡拉胶固定化肌红蛋白的直接电化学研究

用卡拉胶将肌红蛋白（Mb）固定在玻碳电极（Gc）表面，制备了MB-卡拉胶膜修饰电极．包埋在卡拉胶中的Mb可以与电极发生直接电子传递．Mb-卡拉胶膜修饰电极在水／有机混合溶液中，表现出准可逆的直接电化学过程．式电势（E^0’=-0．407V）表明该电化学响应是MbFe（Ⅲ）／Fe（Ⅱ）电对的氧化还原．在一定范围内，溶液pH增加，Mb氧化还原式电势负移，且呈线性关系，说明Mb的电子传递过程伴随有质子的转移．扫描电镜显微研究表明，卡拉胶水凝胶与肌红蛋白之间有较强的作用，紫外光谱表明．血红素周围的微环境没有改变．     

Ag-SiO2复合纳米颗粒的合成、表征及抗菌性研究

使用自组装法制备得到SiO2颗粒,测试得到其平均孔径约为3.61nm,此孔径大小与模板十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）的分子层间距有关。将自组装得到的SiO2颗粒依次浸泡于硝酸银（AgNO3）溶液和硫代硫酸钠（Na2S2O3）溶液中,反应后光照此混合液得到复合材料Ag-SiO2。此复合材料的微观结构可通过X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、紫外-可见光谱（UV-Vis）及红外光谱（FT-IR）来表征,产物为球状复合颗粒,其中Ag纳米粒子被均匀的锁定于SiO2颗粒中,避免了Ag粒子的聚集。在抗菌性测试中发现此复合颗粒的抗菌性优于单一纳米Ag,文中还讨论了此类抗菌剂的作用机理。     

双电子柱形量子点基态能的杂质效应

在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反：体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。     

三氧化钨纳米线的制备及其光催化性能

以Na2WO4·2H2O和HCl为原料,采用水热法合成了WO3,并用x射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、紫外漫反射（uV—Vis）、电子能量分散谱（EDS）和激光拉曼光谱（Raman）测试手段对样品进行表征。测试结果表明,Na2SO4作为添加剂时水热合成的产物皆为六方相三氧化钨纳米线,其粗细和长短略有差异,不同浓度的Na2SO4对产品晶型和形貌无影响,但影响其晶粒尺寸,其中0．125MNa2SO4所得六方相WO3纳米线的尺寸最小,平均直径约为5nm,长度约为1um,并具有最佳的光催化活性,可见光（≥420nm）照射150min罗丹明B溶液后的降解率达96．01％。     

利用具有keggin结构硅钨酸还原Cr（Ⅵ）制备CrPO_4纳米粉体

以具有Keggin结构硅钨酸为光催化还原剂,用光致还原Cr2O72-的方法制备了磷酸铬纳米粉体,Cr2O72-的还原过程用紫外-可见光谱进行监测。通过红外光谱（FT-IR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）分析表明所制产物为无定形磷酸铬,具有较规则的球形结构,平均粒径约为500nm。其合成机理是：在紫外光的照射下,当存在有机化合物时,形成了还原态的硅钨酸,还原态的硅钨酸将Cr（VI）还原为Cr（Ⅲ）,与体系中的PO43-结合生成磷酸铬,由于硅钨酸与磷酸铬之间存在结合力,硅钨酸对磷酸铬纳米颗粒的形成又起到了模板的作用。