FeSiAl合金磁性薄膜的制备与研究

用X-射线衍射,扫描电子显微镜研究了直流磁控溅射法制备的FeSiAl合金薄膜。用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能。主要研究了热处理对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明随着退火温度的升高,薄膜的X衍射峰(220)逐步尖锐化,矫顽力不断减小,磁性能有了较大的提高。     

薄膜太阳能光伏器件工艺制备及测试实验教学平台

采用磁控溅射和真空热蒸镀方法制备薄膜太阳能电池并测试其光伏性能,使学生了解薄膜太阳能电池的结构及制备工艺,熟悉Keithley半导体测试仪的使用方法,绘制薄膜太阳能电池的电流电压曲线,计算薄膜太阳能电池的各项性能参数,通过对薄膜太阳能电池中每一层薄膜的制备和功能的分析,理解薄膜太阳能电池的结构和工作原理,并运用于工艺实验环节,着力提升学生的创新实践能力。     

磁控溅射铝膜的表面形貌及粗糙度的原子力显微镜观测

采用直流磁控溅射方法在(111)取向的单晶Si片上沉积单层Al膜,并将样品分为两组退火,第一组样品分别在200、300和400益退火10min;第二组样品在300益分别退火5、10和15min。原子力显微镜观测退火膜的表面形貌及粗糙度表明,随着退火温度的升高或退火时间的增加,表面更加平整,粗糙度明显减小,膜的致密性得到改善。原子的表面扩散是造成薄膜表面趋于平滑的主要原因。     

磁控溅射镀银电磁屏蔽织物的开发

以PET纺粘非织造布为基材,用磁控溅射真空镀膜技术在基材上沉积不同厚度的纳米结构银薄膜,并测试了它们的电磁屏蔽效能。结果显示,沉积有银膜的非织造布获得了一定的抗电磁辐射性能,而且随着薄膜厚度的增大,非织造布对各个波段电磁波的屏蔽效能随之增大,获得了较好的屏蔽效能。     

焦平面探测器ZnS增透技术研究

在Insb焦平面探测器（FPA）制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大Insb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnSN@SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。     

衬底温度对Zn095Ca005O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

Ar/O_2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基SiO_2薄膜亲水性的影响

在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳.     

反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.     

磁控溅射TiN薄膜及其性能研究

以直流反应磁控溅射方法在Si（111）基底上制备薄膜TiN.研究发现：在保持其他工艺参数不变的条件下,溅射气压在0.3～1.3 Pa范围内,薄膜的主要成分是（111）择优取向的立方相TiN.当溅射气压为0.5 Pa时,沉积的薄膜膜层致密均匀,色泽金黄,膜厚为115.8 nm,结晶性能好.在可见光区半透明而在红外光区呈高反射,红外反射率为90%,具有良好的太阳光谱选择性.     

直流磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜研究

使用直流磁控溅射装置,通过在溅射过程中加入不同的金属网格,250℃条件下在玻璃衬底上制备了不同晶粒尺寸的TiO2薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)对薄膜的表面形貌结构和进行了分析.研究结果表明:在磁控溅射过程中金属网格的引入能有效减小TiO2薄膜的晶粒尺寸,并且金属网格的网孔尺寸越小,晶粒尺寸越小.