Sm部分取代Tb对TbCo／Cr薄膜磁光性能的影响

利用磁控溅射法制备了SmTbCo/Cr薄膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明:随着Sm含量的增加,(SmxTb1-x)31Co69薄膜的Ms、θk和R增加,而Hc随之减少;Sm含量在0.286～0.343范围内的(Sm0.286Tb0.714)31Co69(120nm)/Cr(240nm)和(Sm0.343Tb0.657)31Co69(120nm)/Cr(180nm)薄膜的磁光性能均满足光磁混合记录对介质的要求.     

磁控溅射Ni-0.5Y微晶涂层高温氧化行为研究

研究了纯镍及其表面磁控溅射Ni-0．5Y微晶涂层在1000℃空气中的恒温氧化和循环氧化行为．通过扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对涂层以及表面NiO氧化膜的形貌和结构进行了研究．此外，用激光拉曼(Raman)谱对2种样品表面NiO氧化膜内应力大小进行了测量，结果表明：Ni-0．5Y微晶涂层与基体镍相比有更低的氧化增重速率，表面NiO氧化膜的晶粒尺寸明显减小，膜的高温塑性得以改善．同时，氧化膜内的压应力水平也有所降低，因而改善了NiO氧化膜的粘附性和保护性．磁控溅射涂层的微晶结构以及稀土元素钇的存在均有助于提高涂层的抗高温氧化性能．     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

磁控溅射法制备羟基磷灰石生物涂层的研究

设计了射频磁控溅射技术在Ti6A14V基本表面制备羟基磷灰石(HA)生物涂层的工艺,实验对涂层的显微结构及涂层与基体的界面进行了研究,对材料性能进行了初步探讨。结果表明:磁控溅射技术制备的HA生物涂层,其沉积涂层速度快,涂层成分均匀,表面形貌良好,附着强度较高。     

磁控溅射镀膜技术简述

上世纪80年代开始,磁控溅射技术得到迅猛的发展,其应用领域得到了极大地推广。现在磁控溅射技术已经在镀膜领域占有举足轻重的地位,在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。随着对薄膜质量要求的不断改变,此项技术也将不断地完善和发展下去。     

焦平面探测器ZnS增透技术研究

在Insb焦平面探测器（FPA）制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大Insb芯片对红外光的吸收。本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnSN@SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性。     

全自动真空磁控溅射镀膜仪研制

针对目前真空专业学生教学的需要,研制了全自动真空磁控溅射镀膜仪。详细介绍了镀膜仪6大部分的设计与制作。该镀膜仪具有占地面积小、功能齐全、功能拓展性强的特点,不仅能够服务于多门课程的教学实验,节约实验资源,而且为真空专业学生和教师提供了良好的创新实验平台,可开设多项专业实验和创新实验。     

掺铝氧化锌薄膜的湿化学腐蚀特性研究

利用射频磁控溅射制备AZO薄膜,然后在常温下0.1%的盐酸水溶液中对薄膜进行化学腐蚀,系统研究了腐蚀时间长短对薄膜的表面形貌和光电学性质的影响。结果表明,薄膜表面的粗糙度和方块电阻随腐蚀时间的增加而增大;薄膜的光学透射率和反射率均随腐蚀时间的增加而减小。     

模板法制备SnO_2纳米棒的研究

SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。     

以Cr为衬底层的FePt/C多层膜样品

本研究中,我们采用OTMS560超高真空对靶多功能磁控溅射成功地制备了以Cr为衬底层的FePt/C多层膜样品,退火后FePt纳米颗粒较均匀分布于C介质中。XRD表明600℃时,得到了具有高度有序的L1_0结构,磁性能测量表明多层膜Cr[FePt(2.5nm)/C(1.5nm)]_(10)C具有最佳磁特性,矫顽力达1022.30e,AFM表明Cr可以细化FePt磁性粒子。