全文获取类型
收费全文 | 962篇 |
免费 | 29篇 |
国内免费 | 17篇 |
专业分类
教育 | 485篇 |
科学研究 | 449篇 |
各国文化 | 1篇 |
体育 | 9篇 |
综合类 | 11篇 |
文化理论 | 1篇 |
信息传播 | 52篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 8篇 |
2020年 | 20篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 18篇 |
2015年 | 29篇 |
2014年 | 69篇 |
2013年 | 47篇 |
2012年 | 49篇 |
2011年 | 68篇 |
2010年 | 66篇 |
2009年 | 72篇 |
2008年 | 72篇 |
2007年 | 49篇 |
2006年 | 71篇 |
2005年 | 54篇 |
2004年 | 33篇 |
2003年 | 44篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 34篇 |
2000年 | 14篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 12篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 19篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 11篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
排序方式: 共有1008条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用磁控溅射技术,通过改变制样工艺条件在SiO2/Si基片上沉积MoS2薄膜,以形成异质薄膜器件,并对其微观结构、形貌特征和NH3探测性能进行表征和分析。研究结果表明,在室温条件下MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH3响应性能,并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联,最高可达230%,远超过单一薄膜。同时,器件的响应速度较快,响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图,对器件的气敏机理作了深入阐释。 相似文献
2.
以半导体材料(Zn·Cd)S:Ag-KI为催化剂,在单色(绿)光照下,成功地模拟了光合作用的光合磷酸化。在绿色光照下的光照度、照光时间、ADP(二磷酸腺苷) 浓度、Pi(磷酸氢二钠)浓度及催化剂量等对ATP(三磷酸腺苷)合成的影响。在合适的条件下,ADP 的浓度为1×10-1mmol/l 时的转化率可达到3.2%——5.8%。 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
8.
ZnO作为一种重要的半导体和压电材料,具有异常丰富的形貌。本文主要对具有特殊形貌的氧化锌结构材料的研究进展进行评述。 相似文献
9.
罗毅 《贵阳学院学报(自然科学版)》2016,(2):37-39
利用珀尔帖原理,在一种由N型和P型半导体所组成的电偶对中通以直流电,在电偶对的不同结点处会产生吸热和放热的现象,再将该半导体制冷片应用于CPU上.因其具有实时性好、可控性高、体积小、寿命长等优点,非常适合于CPU的散热领域. 相似文献