磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

衬底温度和生长速率对In0.2Ga0.8As分子束外延薄膜生长影响

采用分子束外廷生长技术,在GaAs衬底上制备InGaAs外廷材料。实验结果表明,衬底温度直接决定了InGaAs材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移,影响了IhGaAs外延材料的生长模式;生长速率影响着InGaAs外延层的质量。实验结果表明,通过调整衬底温度和生长速率,在衬底温度为500℃,生长速率为1200nm／h时,制备出的样品结晶质量和表面形貌最好。     

980nm激光器有源区的设计与分析

有源区设计是半导体激光器设计的核心部分,其材料、参数的选择将直接决定激光器的最终属性,而有源区设计的关键之处在于其能带结构分析。利用四带模型和固体模型理论可研究量子阱有源区的价带色散关系,进而推算出增益谱、透明载流子浓度等重要参数。本文针对GaAs基980nm激光器有源区的InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱和InCaAs／GaAs普通应变量子阱结构进行理论分析比较。分析结果表明,应变补偿量子阱具有带阶大,峰值增益高,波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势,这意味着采用该有源区结构的激光器将有更优越的光电性质。     

纳米结构铟砷/镓砷量子环电子的能级

在有效质量包络函数理论的框架下,研究了铟砷/镓砷量子环的电子态。计算中考虑了环内和环外的电子不同有效质量所产生的影响。用对角化法计算了在不同形状的环中电子的能级。结果显示,环内径敏感地改变电子态。电子能级并不敏感地依赖于环的外径。如果同时减小环的内、外径,可以增加能级间距并使基态能级不变。如果改变其中（内径或外径）之一,基态能级和能级间距同时改变。这些结果对通过带内和带间跃迁设计和制备双色探测器具有潜在价值。     

PbSe quantum dots for an evanescent wave excited fiber amplifier

A novel quantum dots (QDs) optical fiber amplifier was proposed and demonstrated. It was fabricated by dipcoating the PbSe QDs doped sol onto the taper region of fiber coupler. The PbSe QDs was synthesized according to a colloidal method. A lower refractive index sol was also synthesized as the host of PbSe QDs. A standard single mode fiber was used to make the fusion tapered fiber coupler which had double input and output ports. With the simple structure, a signal and a pump can be injected into the amplifier and excite the PbSe QDs through evanescent wave. The experimental results indicated that the amplified light wave was observed at 1 550 nm wavelength with 980 nm wavelength laser diode as pump.     

Pr替位式掺杂GaAs光电性能的第一性原理研究

采用密度泛函理论下的平面波赝势方法,建立GaAs及Pr-GaAs模型并对其能带结构与吸收光谱进行计算。结果表明稀土Pr的4f态电子使得GaAs的能带结构发生改变,价带电子跃迁至导带所需的激发能减小,吸收光谱发生红移,从而提高了GaAs作为光电材料时对太阳光的利用率。     

碳纳米点的制备及其非线性光限幅性能研究

以肝素钠为碳源,通过水热合成法制备碳纳米点（CNDs）,对所制得的CNDs形貌、组成及线性光学性能进行系统研究。结果表明,CNDs粒径均一,且表面富含羧基和羟基等官能团;在270 nm处有明显的紫外吸收峰。CNDs具有与激发波长相关的荧光特性,发射峰随激发波长增大的而红移。采用开孔Z-扫描法探索CNDs的非线性光学效应,结果表明,CNDs具有与能量相关的从饱和吸收向反饱和吸收转变的特性,其非线性吸收系数β和饱和能量IS分别为1.4×10^-11m/W和8×10¹⁰W/m²。     

基于CCD的氨基甲酸酯类农药荧光检测系统

根据氨基甲酸酯类农药在紫外光的照射下能够发出荧光的机理,设计了一种基于电荷耦合器件（CCD）的检测该类有机农药残留的光纤荧光测量系统。该系统以脉冲氙灯为激发光源,利用光纤探测和传输荧光,采用线阵CCD代替传统的光电倍增管作为荧光信号的光电检测元件,同时配备A／D高速数据采集卡,实现了单片机控制下荧光信号的光电转换以及数据采集,进而实现了对西维因和克百威农药浓度的测量。实验结果表明,在激发波长分别为280nm和285nm时,西维因和克百威的荧光强度分别在330nm和315nm处达到最大,最低检出限分别为3．7ug／L和6．5ug/L。在5～1000ug/L范围内,荧光强度和溶液浓度基本呈线性关系。该测量系统灵敏度高,线性范围宽,可以满足荧光检测的要求。     

The Third Order Intermodulation Distortion in the AlGaAs/GaAs HBT Amplifier

在测试了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ（异质结晶体管）的直流特性和Ｓ参数的基础上,建立了其微波小信号等效电路,准确的等效电路有利于其微波线性应用的分析．应用Ｖｏｌｔｅｒａ级数,计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ放大器的三阶互调失真,计算结果和双音测试结果相当一致,该ＨＢＴ良好的线性特性证明了其较好的线性应用前景     

Synthesis of CdSe quantum dots via paraffin liquid and oleic acid

This paper reported an efficient and rapid method to produce highly monodispersed CdSe quantum dots （QDs）, in which the traditional trioctylphosphine oxide （TOPO） was replaced by paraffin liquid as solvent and oleic acid as the reacting media. The experimental conditions and the properties of QDs had been studied in detail. The resulting samples were confirmed of uniform size distribution with transmission electronic microscopy （TEM）, while UV-vis absorption and photoluminescence （PL） spectra clearly indicated that such synthesized QDs had good fluorescence properties.     

类氢杂质对束缚激子基态能和结合能的影响

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN／GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律，计算结果显示，类氢离子杂质束对束缚激子的基态能和结合能有很强的影响。     

硅壳包裹核/壳型硫化镉量子点的制备与性能研究

本文以蔗糖为稳定剂,在低温水相中合成了CdS量子点,并包裹一层SiO2壳.采用紫外可见(UV-V is)、荧光(FL)、透射电镜(TEM)等手段表征CdS量子点并研究制备条件对其性能的影响.结果表明:以蔗糖为稳定剂制备的CdS量子点水溶性好,颗粒粒径小分布窄、荧光强度强;在其外包裹一层SiO2壳,能有效改善该量子点的稳定性.     

类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响

在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。     

射频溅射GaxIn1-xAs薄膜的外延生长及其物理性能研究

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｈｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅｌｌｓｕｉｔｓｔｈｅｇｒｏｗｔｈｏｆｃｏｍｐｏｕｎｄｓａｎｄａｌｌｏｙｓ ,ｗｈｏｓｅｅｌｅｍｅｎｔａｌｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓｈａｖｅｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｄｉｆｆｅｒｅｎｔｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔｓａｎｄｖａｐｏｒｐｒｅｓｓｕｒｅｓ.ＡｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｍｏｕｎｔｏｆｗｏｒｋｓａｂｏｕｔｒｆｓｐｕｔｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｂｉｎａｒｙⅢ Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｆｉｌｍｓｈａｓｂｅｅｎｐｕｂｌｉｓｈｅｄ[1～…     

Sm~(3+):NaY(WO_4)_2激光拉曼晶体的生长与性能表征

采用提拉法(CZ法)生长出了Sm3+:NaY(WO4)(2简称Sm3+:NYW)单晶,给出晶体的较佳生长工艺:晶体沿[100]生长,转速为15—20r/min,提拉速度为1.0—2.0mm/h,分五个程序退火。TG-DTA分析得到晶体的熔点为1203℃。通过等离子体发射光谱仪检测晶体中稀土元素Sm3+的含量。另外,测量了室温下250—2000nm范围内的吸收和透过光谱以及在405nm激发下的上转换荧光发射谱。结果表明:Sm3+:NYW晶体具有易于生长、分凝系数高、吸收峰强、吸收带宽等优点,在LD泵浦的激光器中将具有较好的应用前景。     

水平和竖向地震激励下大型储液罐响应分析

基于ANSYS软件建立了100km3锚固型大型储液罐模型,并对此进行了水平和竖向地震激励下的地震响应分析,地震波为EL-CENTRO波。计算结果表明,锚固型大型储液罐内液体的晃动、应力和应变在水平地震激励下比竖向地震激励下大很多,这说明水平地震激励是影响储液罐力学性状的主要因素之一。储液罐的应力和应变峰值发生在罐的中下部,而罐口变形较大。     

对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的应用探讨

VCSEL是美国原厂生产的激光器，是光通信中的一种极具潜力的固体：激光源，是目前市场上最好的VCSEL晶片及芯片组之一，已得到了较为广泛的应用。本文介绍了以GaAs和A1GaAs作为工作物质的垂直腔面发射激光器的结构、特性和在条形码扫描中的应用。     

ABB非线性电阻灭磁存在的问题与改进建议

简述了灭磁的工作原理,分析、计算了该励磁装置在空载误强励时能否可靠灭磁问题,并提出了改进建议。     

磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响

利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应．计算结果表明：磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失．能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大．能级随着谐振子势wh的增大而增大．不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象．当量子环较大时,E即％——B曲线．随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象．     

GaAs叠层太阳能电池技术的研究现状及发展趋势

本文介绍了GaAs作为太阳能电池材料的特点以及GaAs叠层太阳能电池的结构、性能等,叙述了GaAs叠层太阳能电池的研究现状及最新进展,讨论和分析了GaAs叠层太阳能电池的发展趋势。