双磁势垒结构中电子自旋极化输运

利用散射矩阵方法研究了双磁势垒结构中二维电子气的自旋极化输运性质.结果表明:电子的自旋极化输运性质与磁场构型、入射电子的能量、入射电子的波矢和外加偏置电压有关.在双磁势垒的磁场结构中只有两磁势垒不对称时,自旋向上和自旋向下的电子的传输概率才发生分离,电子隧穿不对称双磁势垒结构表现出自旋过滤效应.     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

Rashba多量子阱异质结中自旋轨道耦合效应对电子输运的影响

根据量子相干输运理论,利用传递矩阵的方法,研究自旋电子在铁磁体（F）／半导体多量子阱（SWM）／铁磁体的一维结构中,考虑自旋轨道耦合效应时的量子相干输运的特性．通过计算发现在这种一维多量子阱结构中的自旋电子的输运特性发生了一定的变化．这有利于进一步提高自旋电子的隧穿系数和自旋极化率．     

磁调制量子结构的自旋过滤特性

基于杂化磁调制量子结构,我们从理论上提出了一电子自旋过滤器,并研究了其自旋输运性质.实验上,其可以通过在半导体异质结表面沉积磁化方向不同的铁磁条带形成.通过对真实InAs 材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时几乎达到100%.因此,该结构可以用于电子自旋过滤器.     

正多边形量子环链自旋输运性质研究

研究了考虑Rashba自旋轨道耦合的任意正多边形量子环链的自旋输运性质.当不考虑Rashba自旋轨道耦合时,量子环链中电子的透射电导不发生自旋极化和翻转;当考虑Rashba自旋轨道耦合时,Rashba自旋轨道耦合可以控制量子环链中电导的极化.点连接的量子环链透射电导存在奇偶震荡现象,线连接的量子环链透射电导的极小值不随链长度变化.     

磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运

研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质，其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算，发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应，其自旋极化度在共振时超过80％。因此，我们的系统可以用于电子自旋过滤器。     

磁场对类氢杂质InAs量子环的能级的影响

利用B样条技术计算强磁场中InAs量子环的能级和量子尺寸效应．计算结果表明：磁场对量子环的能级曲线Enr,mt--r0影响剧烈;当量子环较大时,随着磁场强度B的增大,能级曲线快速上升,对应不同角动量的简并消失．能量曲线的极小值位置r∞随着B的增加而减小,随着mt增大而增大．能级随着谐振子势wh的增大而增大．不同能级曲线Enr,mt——wh出现交叉现象．当量子环较大时,E即％——B曲线．随磁场B增加线性上升,不同能级出现交叉现象．     

通过带有量子门的Aharonov-Casher环的自旋极化电导振荡

1 Introduction Since some experi ments made by Yacoby,et al.[1],and Schuster ,et al.[2],that first measured electrontransmission phase through a quantum dot ( QD) ,phase sensitive transports in open mesoscopic ringwith a QD have been extensively investiga…     

纳米结构铟砷/镓砷量子环电子的能级

在有效质量包络函数理论的框架下,研究了铟砷/镓砷量子环的电子态。计算中考虑了环内和环外的电子不同有效质量所产生的影响。用对角化法计算了在不同形状的环中电子的能级。结果显示,环内径敏感地改变电子态。电子能级并不敏感地依赖于环的外径。如果同时减小环的内、外径,可以增加能级间距并使基态能级不变。如果改变其中（内径或外径）之一,基态能级和能级间距同时改变。这些结果对通过带内和带间跃迁设计和制备双色探测器具有潜在价值。     

Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and InGaAs combination cap layer by resonant excitation

The photoluminescence （PL） spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots （QDs） with InAlAs/InGaAs combination cap layer grown by molecular beam epitaxy are studied under different excitation conditions.The intrinsic optical properties of InAs QDs are investigated under resonant excitation condition.A longitudinal optical （LO） phononassisted peak can be well resolved under Eex 〈 E GaAs g,which give evidence that the phonon-related process is dominated for carrier relaxation in InAs QDs with InAlAs/InGaAs combination cap layer when they are under resonant excitation condition.A rate equation model is established to interpret the difference of thermal activation energy （Ea）.The Ea measured under Eex 〈 E GaAs g,can exactly describe the intrinsic physical mechanism of temperature-induced quenching in InAs QDs,because it can be irrespective of the barrier materials.This result will benefit to validating the parameters of quantum dots infrared photodetector （QDIP） in sequent procedure of device fabrication.     

Transmission Modulated by QuantumGatein AharonovCasher Ring

１　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｒｅｃｅｎｔｌｙ,ａｓｅｒｉｅｓｏｆｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｂｙＹａｃｏｂｙｅｔａｌ．［１］ａｎｄＢｕｋｓｅｔａｌ．［２］ｒｅｐｏｒｔｅｄｓｏｍｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｐｈａｓｅｉｎｒｅｓｏｎａｎｔｔｕｎｎｅｌｉｎｇｔｈｒｏｕｇｈａｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ（ＱＤ）ｗｈｉｃｈｉｓｉｎｓｅｒｔｅｄｉｎｔｏｏｎｅａｒｍｏｆａｎＡｈａｒｏｎｏｖＢｏｈｍ（ＡＢ）ｒｉｎｇ．ＴｈｅｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅＡＢｒｉｎｇｗ…     

GaAs量子环中类氢杂质能量的研究

利用B样条技术研究GaAs量子环中类氢杂质能量的量子尺寸效应.对计算结果比较看到：无磁场情况,对于｜m｜=0,r0〈75 nm,抛物禁闭关联势可以近似作为微扰项来处理;对于｜m｜≥0,r0〈60 nm,不可以采用微扰法.当r0〉90 nm时,库仑势可以近似作为微扰项来处理,但误差很大.当磁场B增加时,类氢杂质能量的量子尺寸效应出现明显变化,当r0〉90 nm时,量子环中类氢杂质能量快速上升.