1mol%TiO2—SnO2薄膜的溶胶—凝胶制备及其气敏特性

以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以（C4H9O）4Ti为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺制备了TiO2掺杂的SnO2薄膜。采用差热-失重（DTA－TG）及X射线衍射（XRD）等分析手段研究了1mol％TiO2－SnO2薄膜的热分解晶化过程及物相组成。发现1mol％TiO2－SnO2薄膜在常温下对NOx气体具有较好的气敏性能,并可以在不同的工作温度下检测低浓度的NOx及H2S气体。本文还讨论了1mol％TiO2－SnO2薄膜对NOx及H2S的气敏机理。     

溶胶-凝胶法制备SrNb0.05Ti0.95O3薄膜及性能分析

以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。     

一维SnO2纳米结构的电学性质

采用电场组装的方法将SnO2纳米线组装在Pt电极上,利用扫描探针显微镜（SPM）的导电AFM（C—AFM）模式对组装的SnO2纳米结构的电学性质进行了测量,所测得的SnO2纳米线的I—V曲线是非线性、非对称的。根据测量结果,得出SnO2纳米线与两个Pt电极之间形成了背靠背的肖特基势垒结构,并通过分析得出SnO2纳米结构的电流输运机制。     

纳米氧化铝薄膜制备及表征

采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响.在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大.     

Sol-Gel法制备KTN薄膜的结构和形貌研究(英文)

本文用XRD和SEM等分析测试手段,详细研究了Sol－Gel法不同工艺过程制得KTN薄膜样品的结构和形貌。发现KTN薄膜的结构和形貌主要受热处理工艺的烧结温度、升降温速率、烧结气氛等影响,详细分析讨论了产生这些影响的原因。在SrTiO3（100,111）基片上制备出了高取向、纯钙钛矿结构、表面形貌良好的KTN薄膜。     

热解法合成P（AM-co-MAA）/SnO_2有机-无机复合微球的研究

采用反相悬浮聚合法合成了聚丙烯酰胺-甲基丙烯酸（P（AM-co-MAA））微凝胶,并以其作为模板,通过热解法制备了一系列微米级、表面具有特异结构的P（AM-co-MAA）/SnO2有机-无机复合微球材料.详细考察了反应时间、SnCl4的浓度和热解温度等因素对复合微球的形貌结构的影响.通过SEM,XRD,FT-IR,TG等手段来表征复合微球的结构、形貌、含量.微球上沉积的SnO2层随着SnCl4的浓度增大而加厚.采用模板法制备复合材料具有操作过程简单、反应条件温和等特点,因此,可将此方法可进一步拓展到其他有机-无机复合材料的制备中.     

两种不同形貌α-Fe2O3/SnO2复合材料的制备

利用水热法分别制备了α-FeO3纳米棒和立方体,并以其作为前驱物制备了α-Fe2O3/SnO2复合材料.样品的成份、结构、形貌和尺寸采用X-ray粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等测试手段进行了表征.分析结果发现,α-Fe2O3前驱物的形貌能够影响α-Fe2O3/SnO2的最终形貌和结构.以α-Fe2O3纳米棒作为前驱物时,α-Fe2O3/SnO2复合材料是由棒状结构组成的团聚体;而以α-Fe2O3立方体作为前驱物时,在相同的制备条件下能够得到α-Fe2O3/SnO2球形粒子.最后对α-Fe2O3前驱物的形貌对α-Fe2O3/Sno2复合材料生长过程中的影响机理进行了探讨.     

退火温度对ZnO：Tb复合薄膜的结构和形貌的影响

采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒．     

SrTiO_3薄膜的制备及其性能表征

以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．