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1.
一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究
薛守斌
张兴
庄惠照
薛成山
《德州学院学报》
2008,24(4):36-40
采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si(111)衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜:纳米线、纳米棒.分别用X射线衍射仪(XRD,Rigaku D/Max--rB Cu Ka)、傅立叶红外透射谱(FTIR,TENSOR27)、扫描电子显微镜(SEM,Hitachi S-570)、高分辨电镜(HRTEM,Philips TECNAIF30)和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析.最后,简要的讨论了其生长机制.
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