共查询到10条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应. 相似文献
2.
提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构电子的隧穿输运性质。对照相应的非复合磁垒结构，这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性。当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。 相似文献
3.
提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为. 相似文献
4.
谭启龙 《湖南科技学院学报》2004,25(6):94-97
研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小. 相似文献
5.
提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。 相似文献
6.
提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。 相似文献
7.
研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小。 相似文献
8.
研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质，计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较，反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质，但是透射几率和电导都大大地减小。 相似文献
9.
磁调节二维电子的输运 总被引：2，自引：0，他引：2
研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。 相似文献
10.
利用散射矩阵方法研究了双磁势垒结构中二维电子气的自旋极化输运性质.结果表明:电子的自旋极化输运性质与磁场构型、入射电子的能量、入射电子的波矢和外加偏置电压有关.在双磁势垒的磁场结构中只有两磁势垒不对称时,自旋向上和自旋向下的电子的传输概率才发生分离,电子隧穿不对称双磁势垒结构表现出自旋过滤效应. 相似文献