复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构,这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质，计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较，反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质，但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小.     

磁调节二维电子的输运

研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。     

纳米复合磁体退磁曲线的计算

利用一维模型,计算了纳米复合磁体中软磁相磁矩间的夹角,计算了纳米复合磁体的退磁曲线,与实验曲线基本吻合,从理论上解释了退磁曲线出现蜂腰的现象。     

Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究

稀磁半导体因兼有半导体及金属共同特性,在电子器件和磁性方面有着广泛应用.因此,无论从理论还是应用上研究稀磁半导体都具有重要意义.本文基于第一性原理计算研究了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的稳定结构、磁序特点、磁性来源及电子结构.首先,计算研究了GaAs的电子结构,证实其半导体特点;其次,研究发现了铁磁(FM)构型为Mn掺杂的GaAs体系的最稳定构型,并且基于该稳定构型进一步研究发现Mn掺杂GaAs的磁性主要来源于Mn原子;最后,研究发现Mn掺杂GaAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性,并基于此展望了Mn掺杂GaAs稀磁半导体的应用前景.     

四氧化三铁纳米颗粒的合成、自组装与磁性表征

用高温液相还原有机金属化合物的方法合成了粒径可控(3-10nm)、具有较均匀的粒径分布的四氧化三铁纳米颗粒。由于较窄的颗粒尺寸分布,在适合的溶媒蒸发速度下,得到了四氧化三铁纳米颗粒的单层自组装结构。同时对该颗粒进行了磁学性质方面的研究,结果表明合成的四氧化三铁纳米颗粒在室温下具有超顺磁性质,在低温下为铁磁性。同时x光电子能谱分析结果证实了铁离子的价态以及验证了包裹在纳米颗粒表面的表面活性剂的存在。     

双磁势垒结构中电子自旋极化输运

利用散射矩阵方法研究了双磁势垒结构中二维电子气的自旋极化输运性质.结果表明:电子的自旋极化输运性质与磁场构型、入射电子的能量、入射电子的波矢和外加偏置电压有关.在双磁势垒的磁场结构中只有两磁势垒不对称时,自旋向上和自旋向下的电子的传输概率才发生分离,电子隧穿不对称双磁势垒结构表现出自旋过滤效应.     

碳纳米豆荚的电子状态与电子特性--有关碳纳米管内嵌富勒烯的一些量子化学计算结果

本文提出了碳纳米管内嵌富勒烯形成碳纳米豆荚之电子结构及总能量的某些量子化学计算方法与结果，提供了有关碳纳米管内多种富勒烯内嵌热力学及内嵌所得碳纳米豆荚之电子结构。通过计算我们发现碳纳米豆荚的电子态依赖于碳纳米管内的空隙，并且这种空隙又反映了内嵌富勒烯的电子态。富勒烯的最低未占据态之能级以及富勒烯π态与碳纳米管内近自由电子态之间的杂化形成了碳纳米豆荚内多重载流子的电子特性。     

磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运

研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质，其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算，发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应，其自旋极化度在共振时超过80％。因此，我们的系统可以用于电子自旋过滤器。     

一种制备高性能多极显影磁辊的方法

我们提出了一种新的设计，以制备出具有表面各向异性的多极显影磁辊，这种磁辊比各向同性磁辊的磁性能有较大的提高，表面磁感应强度比原业增加30％－40％。     

纳米复合镀层的研究进展

介绍了纳米复合镀层的制备、分类及耐磨减磨、耐腐蚀、耐高温、自润滑、催化、导磁等方面的性能，综述了近年来有关纳米颗粒在复合镀层制备过程中的沉积机理和影响因素。