反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构电子的隧穿输运性质。对照相应的非复合磁垒结构，这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性。当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构,这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运

研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质，其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算，发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应，其自旋极化度在共振时超过80％。因此，我们的系统可以用于电子自旋过滤器。     

双磁势垒结构中电子自旋极化输运

利用散射矩阵方法研究了双磁势垒结构中二维电子气的自旋极化输运性质.结果表明:电子的自旋极化输运性质与磁场构型、入射电子的能量、入射电子的波矢和外加偏置电压有关.在双磁势垒的磁场结构中只有两磁势垒不对称时,自旋向上和自旋向下的电子的传输概率才发生分离,电子隧穿不对称双磁势垒结构表现出自旋过滤效应.     

磁调制量子结构的自旋过滤特性

基于杂化磁调制量子结构,我们从理论上提出了一电子自旋过滤器,并研究了其自旋输运性质.实验上,其可以通过在半导体异质结表面沉积磁化方向不同的铁磁条带形成.通过对真实InAs 材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时几乎达到100%.因此,该结构可以用于电子自旋过滤器.     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质，计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较，反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质，但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小.     

关于LS耦合、JJ耦合的适用条件

通过经典电磁学的数量级估计和量子力学计算表明,多电子原子中区别LS耦合JJ耦合的条件应比较电子自旋一轨道磁相互作用与电子静电力之间的大小而非比较电子自旋与自旋的磁相互作用与电子自旋一轨道磁相互作用的大小.     

磁双势垒中二维电子气的自旋极化输运

采用了平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,运用了散射矩阵方法,研究了电子通过磁双势垒的输运性质,计算了磁双势结构的传输概率及相应的电子传输概率的自旋极化度.     

一维势阱并伴有自旋轨道耦合的输运

研究一束自旋极化电子在准一维系统中的榆运,输运电子经过一个势阱和SOI共同作用的散射区．研究发现经过散射后电子自旋翻转的概率与费米能廓、势阱的深度Vo、自旋轨道耦合的强度λR以及各通道的能级Ej,并且翻转概率具有周期振荡特性,即随散射区的长度呈周期性变化．     

磁学研究最新前沿——磁电子学研究内容简介

电子既是电荷的负载体,同时又是自旋的负载体.以研究、控制和应用半导体中数目不等的电子和空穴(即多数载流子和少数载流子)的输运特性为主要内容的微电子学是二十世纪人类最伟大的创造之一.众所周知,在这里自旋状态是不予考虑的,电子的输运过程仅利用它的荷电性由电场来控制.人类是否可以利用电子的自旋来操纵它的输运过程?回答是肯定的,它正是磁学研究的最新前沿——磁电子学所要研究的主要内容.我们知道,在铁磁金属中,由于交换劈裂,费密面处自旋向上与自旋向下的电子态密度不等,因而自旋向上电子载流子数与自旋向下电子载流子数是不等的,故在电场的推动下,铁磁金属中的传导电子流必定是自旋极化的.事实上,七十年代初有人通过超导体特殊的能带结构,利用“超导体/非磁绝缘体/铁磁金属”隧道结检测出穿越绝缘体势垒的隧道电子流是自旋极化的电子流.此外,也正是由于铁磁金属在费密面处自旋向上与自旋向下的电子态密度不     

量子力学三题

<正> 一、电子自旋不是一种经典模型 1925年,两位青年物理学家乌伦贝克(Uhlenbeck)和哥德斯密脱(Goudsmit)提出电子自旋的假设:每个电子具有自旋角动量S,它在空间任何方向上的投影只能取两个数值:每个电子具有自旋磁矩Ms,它和自旋角动量S的关系是。式中-e是电子的电荷,μ是电子的质量。电子自旋的假设,很好地解释了光谱线的精细结构,特别是碱金属光谱的双线结构。其后,这个假设又为大量事实所证实。 如果用经典的观点来解释电子自旋的产生,可把电子绕原子核的运动,比拟为地动绕太     

磁调节二维电子的输运

研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。     

w—BN（001）B面上铁（钴、镍）纳米线的高自旋极化研究

文章用密度泛涵理论（DFT）和广义梯度近似（GGA）研究了铁、钴和镍在纤锌矿结构氮化硼（w—BN）（001）B面上排列的纳米线的电子结构和磁性，计算了原子的磁矩和态密度，发现在w—BN（001）的B1址的铁和钴纳米线具有高自旋极化的特性，并与孤立的铁、钴和镍原子线的电子结构进行了比较研究，这种高自旋极化材料在微电子器件中可以用作自旋过滤器．