磁调制量子结构的自旋过滤特性

基于杂化磁调制量子结构,我们从理论上提出了一电子自旋过滤器,并研究了其自旋输运性质.实验上,其可以通过在半导体异质结表面沉积磁化方向不同的铁磁条带形成.通过对真实InAs 材料系统的计算,发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应,其自旋极化度在共振时几乎达到100%.因此,该结构可以用于电子自旋过滤器.     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

《量子力学》中的自旋角动量

本文论述了自旋概念提出的背景，说明将粒子自旋引入量子力学的根据，求出电子自旋算符和自旋函数的矩阵形式。     

自旋场效应晶体管中极化输运特性研究

自旋极化电流从铁磁金属注入到半导体的主要障碍是铁磁体和半导体电导率的不匹配。但最近研究结果表明可以通过运用适当的方法来克服这个困难。我们基于自旋场效应晶体管的模型及Landauer-Buttiker公式,求得电子通过半导体异质结的电导,得出了自旋电子器件中极化电荷的输运特性。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

电子自施微扰作用过程对称性诠释的一种方案

通过将电子自旋微扰分为自施对状态描述的影响和自旋对能级的影响两个过程，使得电子自旋微扰的作用过程能顺利地用对称性理论来解释。     

电子自旋算符和自旋波函数的一些性质

运用力学量算符和波函数的矩阵表示，在Sz表象中讨论了电子自旋算符及其波函数的构造，找出并证明了一些性质．     

本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究

利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式:Γ=q2Ds+l/τs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间τs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间τs=46 ps与由饱和吸收方法测得的结果:τs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规律,对自旋极化衰减率公式:Γ=q2Ds+l/τs进行了修正.     

光子的自旋及其波函数

本文从光子的平均角动量入手,得到简明形式的光子角动量算符表达式,从而用极简单的方法求出光子的自旋矩阵和自旋波函数,得到光子自旋为1,并论光子的四种极化的状态及其意义。     

电子自旋角动量升降算符研究

从新的视角引出了电子自旋角动量升降算符,并对自旋角动量三个分量等几方面进行了推论和具体应用,以展示算符理论的内在美和形式美.     

基于半导体量子点的量子计算的物理实现

利用半导体量子点导带中电子的自旋作为量子信息的载体,设计了量子计算的方案,该方案不需要利用量子位之间的相互作用,所有的操作只是单量子位的操作。     

发展中的自旋电子学

自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科。自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点。磁学、电子学和信息学的结合有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、调制器及用于量子计算、量子通信等装置的新型器件。     

双电子体系自旋算符及其本征矢的矩阵表示

运用表象理论讨论了双电子体系自旋角动量算符及其本征矢分别在^Sz,^Sx和^Sy表象的相互转化,得到了简洁实用的表达形式.     

冯金福教授半导体电子输运研究工作评述

从空间调制微分反射光谱、介观电路的量子力学处理、量子点和DNA的量子输运性质、量子点的自旋特性四个方面介绍了冯金福教授开展的在半导体电子输运领域所做的工作.     

可调谐半导体激光器调谐机理及进展

可调谐半导体激光器是新一代密集波分复用系统以及全光网络中光子交换的关键光电子器件．从调谐机理的角度出发,对各种典型的可调谐半导体激光器进行了研究,重点分析了激光器谐振腔结构的不同,导致的调谐方法和手段的差异．同时,分析总结了国外可调谐半导体激光器的研究进展．     

3d过渡金属掺杂II-IV-V_2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM).