磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运

研究了一般的磁调制半导体纳米体系中电子自旋输运性质，其可以通过在半导体异质结表面沉积具有任意磁化方向的铁磁条带形成。通过对真实InAs材料系统的计算，发现这种系统具有很强的电子自旋极化效应，其自旋极化度在共振时超过80％。因此，我们的系统可以用于电子自旋过滤器。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

《量子力学》中的自旋角动量

本文论述了自旋概念提出的背景，说明将粒子自旋引入量子力学的根据，求出电子自旋算符和自旋函数的矩阵形式。     

本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究

利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式:Γ=q2Ds+l/τs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间τs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间τs=46 ps与由饱和吸收方法测得的结果:τs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规律,对自旋极化衰减率公式:Γ=q2Ds+l/τs进行了修正.     

局域磁杂质导致的自旋流

研究局域化磁性杂质引发的散射势对入射电子自旋取向的影响,该势可用Rashba哈密顿项表示.通过解薛定谔方程求得自旋空间的波函数,再由边界条件确定波函数的振幅,进而求出散射矩阵.应用buttiker理论,计算出通过磁性杂质引起的电流和自旋流,结果表明,在低温下,自旋流受电子库中所加磁场影响很小,而受费米能影响较大.     

w-BN (001)B面上铁(钴、镍)纳米线的高自旋极化研究

文章用密度泛涵理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)研究了铁、钴和镍在纤锌矿结构氮化硼(w-BN)(001)B面上排列的纳米线的电子结构和磁性,计算了原子的磁矩和态密度,发现在w-BN(001)的B面上的铁和钴纳米线具有高自旋极化的特性,并与孤立的铁、钴和镍原子线的电子结构进行了比较研究,这种高自旋极化材料在微电子器件中可以用作自旋过滤器.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构,这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

光子的自旋及其波函数

本文从光子的平均角动量入手,得到简明形式的光子角动量算符表达式,从而用极简单的方法求出光子的自旋矩阵和自旋波函数,得到光子自旋为1,并论光子的四种极化的状态及其意义。     

电子自旋角动量升降算符研究

从新的视角引出了电子自旋角动量升降算符,并对自旋角动量三个分量等几方面进行了推论和具体应用,以展示算符理论的内在美和形式美.     

双电子体系自旋算符及其本征矢的矩阵表示

运用表象理论讨论了双电子体系自旋角动量算符及其本征矢分别在^Sz,^Sx和^Sy表象的相互转化,得到了简洁实用的表达形式.     

Education,education and indoctrination! Packaging politics and the three ‘Rs’

This paper explores how recent Labour governments have tried systematically to package educational and other social policies for media presentation and public consumption. This concern has resulted in the criticism that Labour is concerned with policy presentation above content: strong on policy spin but weak on policy delivery. The first section explores Labour’s attempts to set a favourable agenda in news media for its educational policies by implementing a rigorous news management strategy: the subsequent section analyses Labour’s unprecedented use of advertising to promote key areas of government policy. There is a particular focus on government advertising in the run up to the 2001 general election. The paper concludes that governments’ increasing reliance on advertising may cross the line which should separate the provision of public information from any attempt to persuade the public to support particular policy choices.     

振荡磁场量子点中自旋流的交流响应

We investigate alternating response of the spin current in a quantum dot system coupled to a normal metal electrode,to which an alternating driving voltage and a pumping rotating magnetic field are applied.The expression of the time-averaged spin current and its differential is obtained based on a non-equilibrium Green's function method.We find that for a given rotating frequency,the spin current increases rapidly and appears to have small steps when the driven frequency increases.As the driven frequency is further increasing,the spin current can be significantly enhanced and approaches a stable value.The photon-assisted processes bring about interesting features of spin current.The influence of the gate voltage and temperature on the spin current is examined in detail.     

电-声相互作用对金属氢磁性的影响

本文运用Hirsch的自旋—极化铁磁理论,并考虑了电—声相互作用对单中心、双中心以及电子有效质量的修正后,讨论了金属氢在T=OK时的自发磁化强度随晶体的Wigner-Seitz半径r_(s)的变化。结果指出:金属氢的自发磁化强度m_(s)≠0的区域随参数P的增大而收缩,但m_(s)的值不一定比未考虑电—声相互作用时的值小。     

严格对角化方法对S=1/2自旋阶梯模型的研究

本使用严格对角化方法对S=1／2自旋阶梯模型进行了数值模拟计算研究，通过对不同长度自旋阶梯中两条单链和链间耦合部分各自对基态能量、能隙的贡献比例和自旋关联的考察，认为该系统处于自旋液体状态，同时模拟计算的结果对沿链方向形成交错磁场的假设提出了质疑。     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。