MoS2/SiO2/Si异质薄膜器件的制备与NH3探测性能实验研究

采用磁控溅射技术，通过改变制样工艺条件在SiO₂/Si基片上沉积MoS₂薄膜，以形成异质薄膜器件，并对其微观结构、形貌特征和NH₃探测性能进行表征和分析。研究结果表明，在室温条件下MoS₂/SiO₂/Si异质薄膜器件表现出了明显的NH₃响应性能，并且器件的响应与薄膜厚度和沉积温度存在关联，最高可达230%,远超过单一薄膜。同时，器件的响应速度较快，响应/恢复时间为7.4 s/24.8 s。进一步通过构建界面能带结构图，对器件的气敏机理作了深入阐释。     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

Dependence of electrical and optical properties of IGZO films on oxygen flow

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) films were deposited on the corning eagle XG (EXG) glass substrates using magnetron sputtering method. The structure, surface morphology, electrical and optical properties of these films were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), semiconductor parameter analyzer and spectrophotometry, respectively. The influence of oxygen flow on the electrical properties of IGZO thin films was studied, showing that increasing oxygen flow changes the resistivity with six orders of magnitude. The contact resistance of ITO/IGZO is 7.35×10⁻² Ω·cm², which suggests that a good ohmic contact exists between In₂O₃: Sn (ITO) and IGZO film.     

金属Pd掺杂对MoS_2/Si异质薄膜微结构和光伏性能的影响

采用直流磁控溅射技术,在Si表面沉积了Pd掺杂MoS_2(Pd:MoS_2)薄膜,形成了Pd:MoS_2/Si异质薄膜太阳能电池器件,并综合利用拉曼光谱、紫外-可见光谱、紫外光电子能谱和伏安曲线测量等技术分析了Pd掺杂浓度(x%)对MoS_2薄膜微结构及Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件光伏性能的影响。拉曼光谱结果表明,Pd掺杂明显改变了MoS_2薄膜中A_(1g) 晶格振动,而几乎不影响E_(2g)~1晶格振动。在模拟太阳光照射条件下,伏安性能测试结果显示:随着Pd掺杂浓度的增加,Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件的光伏性能显著增强;当x=1时,器件表现出最佳的光伏效果,转化效率达到4.6%;继续增加Pd掺杂浓度,器件的光伏性能则逐渐减弱。进一步通过紫外-可见光光谱和紫外光电子能谱分析,构建了Pd:MoS_2/Si界面能带结构,阐释了Pd掺杂对器件光伏性能的影响机制。     

直流磁控溅射的应用概述

磁控溅射是物相沉积镀膜中较为常用的一种方法。本文介绍了磁控溅射中比较基础的溅射方式——直流磁控溅射,说明了磁控溅射相对于其他物相沉积的优势以及工作原理,重点强调了直流磁控溅射的工作流程。     

中高温太阳能选择性吸收多层膜的制备与光学性能的研究

采用双干涉吸收膜系结构设计在不锈钢基片（SS）和铜基底表面制备了MoSi2-/MoSi0-Al2O3（高体积分数金属填充因子层（HMVF））//MoSi2-Al2O3（低体积分数金属填充因子层（HMVF））/Al2O3选择性吸收多层膜,通过摸索不同的基底、各层厚度匹配,不同体积分数对选择吸收的影响及制备工艺优化获得最佳的太阳能吸收率为0.94,红外发射率为0.08。该膜层经500℃真空退火后吸收率和发射率没有明显变化,表明陔涂层在该温度下热稳定性良好。     

HfOxNy薄膜的制备及其性能研究

本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度．     

Cu夹层厚度对ZnO薄膜的光电性能的影响

采用磁控溅射技术在玻璃基底上制备出了具有c轴择优取向的Cu夹层ZnO透明导电薄膜,利用几种表征手段分析了夹层厚度对ZnO薄膜的结构形貌、光电性能的影响。结果表明,随着夹层厚度的增加,薄膜的结晶性降低,透光率降低、电学性能增强。     

溅射电流对钛薄膜光电性能的影响

为了研究溅射电流对磁控溅射沉积钛薄膜光、电学性能的影响,在其它工艺参数相同的情况下改变溅射电流(0.3 A～0.8 A)制备了6组薄膜样品,采用四探针电阻测试仪测量样品的电阻率,用紫外可见分光光度计测量样品的透射率.同时,利用磁控溅射技术成功制取钛薄膜光栅,采用读数显微镜测量光栅常量.研究表明:钛薄膜电阻率随溅射电流的增大而减小,最小电阻率为3.034 3Ω·cm;透射率随溅射电流的增大先减小后增大,最大透射率约为99%(对应溅射电流0.3 A),最小透射率约为0.03%(对应溅射电流0.7 A);测得钛薄膜光栅的光栅常量为(0.170 1±0.000 7)mm.     

磁控溅射镀膜技术的发展及应用

近年来,随着新材料的开发,尤其是薄膜材料的发展和应用,带动磁控溅射沉积技术的飞速发展,在科学研究领域和工业生产中有着不可替代的重要作用。本文主要介绍了磁控溅射沉积技术的工艺过程及其发展情况,各种主要磁控溅射镀膜技术的特点,并介绍磁控溅射技术在各个领域的主要应用。