反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小.     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构，并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明，当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且，电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关，因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质。结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为。     

反对称磁垒纳米结构中的电子自旋极化效应

提出了一种反对称磁垒纳米结构,并研究了其电子自旋输运的性质.结果表明,当考虑电子自旋与非均匀磁场的相互作用时,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.而且,电子的自旋极化度与系统的结构参数密切相关,因此通过调整磁条可以调控系统中自旋极化电子的行为.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构电子的隧穿输运性质。对照相应的非复合磁垒结构，这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性。当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用，这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应。     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构,这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

复合磁垒纳米结构中的量子输运

提出了复合磁垒的概念并研究了复合磁垒纳米结构中电子的隧穿输运性质.对照相应的非复合磁垒结构, 这种磁纳米结构大大增强了电子的波矢滤波特性.当考虑电子的自旋与非均匀磁场的相互作用,这种磁垒纳米结构具有很强的电子自旋极化效应.     

相对论电子在一维n重直角势垒结构中的共振隧穿

应用传输矩阵技术，推导出任意ｎ重直角势垒结构中的相对论电子的透射几率及其共振隧穿条件．在δ势极限下，发现当δ势强度满足一定的量子化条件时，所有能量均能发生共振隧穿．这一相对论电子独有的性质普在双势垒结构中首次报道［５］．本文的结果说明这是任意ｎ垒结构的共有性质．     

基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁半导体纳米结构的电子自旋输运

本文研究了基于InAs/GaAs异质结的δ掺杂磁纳米结构的电子自旋输运性质。计算了透射系数、电导和自旋极化。主要分析和讨论了δ掺杂的权重和位置对电子自旋极化输运的影响。结果表明,δ掺杂权重的增加可以显著抑制电子的透射系数和电导。通过改变δ掺杂的权重和位置可以实现较大程度的自旋极化。研究结果将有助于理解δ掺杂磁纳米结构中的实验现象和设计δ掺杂可调制自旋电子器件。     

双磁势垒结构中电子自旋极化输运

利用散射矩阵方法研究了双磁势垒结构中二维电子气的自旋极化输运性质.结果表明:电子的自旋极化输运性质与磁场构型、入射电子的能量、入射电子的波矢和外加偏置电压有关.在双磁势垒的磁场结构中只有两磁势垒不对称时,自旋向上和自旋向下的电子的传输概率才发生分离,电子隧穿不对称双磁势垒结构表现出自旋过滤效应.     

磁调节二维电子的输运

研究了电子通过一般的真实磁调节纳米结构的隧穿性质,其中磁调节纳米结构由被磁化的细长磁条沉积在典型的GaAs/GaAlAs 半导体异质结表面上形成的。电子隧穿这种磁纳米结构展示了有趣的波矢滤波特色,而且,其共振隧穿性质强烈地依赖于磁条被磁化的方位。这些结果暗示了调节系统中磁条的磁化方向可以剪裁这类磁纳米结构中电子的隧穿性质。     

四端量子波导中电子的输运几率

量子波导理论研究不仅是对基础物理而且对量子器件研究具有重要意义,我们采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质。结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端。在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运几率是相同的,但垂直端与水平端的输运几率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出的输运几率也有着相当大的差别。     

磁双势垒中二维电子气的自旋极化输运

采用了平面波近似数值方法解非均匀磁场中电子的薛定谔方程,运用了散射矩阵方法,研究了电子通过磁双势垒的输运性质,计算了磁双势结构的传输概率及相应的电子传输概率的自旋极化度.     

正多边形量子环链自旋输运性质研究

研究了考虑Rashba自旋轨道耦合的任意正多边形量子环链的自旋输运性质.当不考虑Rashba自旋轨道耦合时,量子环链中电子的透射电导不发生自旋极化和翻转;当考虑Rashba自旋轨道耦合时,Rashba自旋轨道耦合可以控制量子环链中电导的极化.点连接的量子环链透射电导存在奇偶震荡现象,线连接的量子环链透射电导的极小值不随链长度变化.     

磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。     

碳掺杂硅原子链电子输运性质的第一性原理计算

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对5个Si原子构成的链耦合在Au（100）之间所形成的三明治结构的纳米结点的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果得到在两极距离为20.556 A时,几何结构最稳定,此时平衡电导为0.711G0（=2e2/h）;在此稳定结构中,把中间的一个Si原子替换成C原子后,其平衡电导为1.344Go.电子主要是通过Si原子链的p电子轨道进行传输的.在-1.0～1.0V的电压范围内,随着正负偏压的增大,电导减小;在相同电压下,掺C后的Si链的电导比未掺杂Si链的电导大,即掺C能有效提高Si链的电子传输性能.     

二氰基二硫纶金属配合物的结构与电导性关系的研究

籍助二氰基二硫纶金属配配合物的晶体结构，揭示了该类配合物的结构与其电导有直接的内在关系：平面共轭型的电子接体或电子受体在晶体中分别排列成均匀分子柱；电子援、受基团紧密有序堆砌，柱内相邻分子π轨道相互重叠，形成能带，电子在能带上跃迁形成电子通路；电子授和受体之间发生不完全电行转移，生成混合价态，形成部分充填的能带结构等这些结构特征是二氰基二流比金属配合物电导或半电导性质的内在原因.     

A1原子链电导的第一性原理计算

基于密度泛函理论结合非平衡格林函数方法对5个Al原子构成的链耦合在两半无限Au（100）电极之间形成三明治结构的纳米结点的电导进行了第一性原理计算．结果得到电导随两极距离的变化关系,当两极距离为22．116A时,体系总能量最低,几何结构最稳定,此时电导为0．596C0（G0=2e^2／h）,电子主要通过Al链原子的P电子轨道进行传输;而当电极距离为24．116 A时,电导最大,其值为2．156G0．结果表明Al链的稳定结构并不是电子输运的最佳结构．     

多孔GaN纳米晶须的气固机制合成及光致发光性质

采用纯的传统的GaN粉，用物理气相沉积的方法，在1200℃务件下，在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过X射线衍射仪(XRC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X射线能量损失谱仪(ECX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形，单根晶体的直径为30～100nm、长度达到微米级，宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定，发现这些多孔纳米晶须在296nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质，这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。